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DR-H308PCT高壓蒸煮老化試驗(yàn)箱依據(jù)GB/T 41203光伏組件封裝材料加速老化試驗(yàn)方法設(shè)計(jì)生產(chǎn)，適用于光伏組件用玻璃、封裝膠膜、背板，其他光伏組件封裝材料參照使用。將試樣放入高壓蒸煮老化試驗(yàn)箱，試驗(yàn)條件如下∶試驗(yàn)溫度121℃，相對(duì)濕度100%，光伏組件用玻璃試驗(yàn)時(shí)間宜為24h、48h、72h；封裝膠膜推薦試驗(yàn)時(shí)間為24h、48h、72h；光伏背板試驗(yàn)時(shí)間宜為24h、48h。關(guān)閉箱門，運(yùn)行

HAST半導(dǎo)體器件強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)箱是根據(jù)GB/T 4937.4半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第4部分∶強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)（HAST）設(shè)計(jì)研發(fā)的一款設(shè)備，通過(guò)施加嚴(yán)酷的溫度、濕度和偏置條件來(lái)加速潮氣穿透外部保護(hù)材料（灌封或密封）或外部保護(hù)材料和金屬導(dǎo)體的交接面，來(lái)評(píng)價(jià)非氣密封裝半導(dǎo)體器件在潮濕的環(huán)境下的可靠性。

強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)箱（HAST）是根據(jù)GB/T 4937.4半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第4部分∶強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)（HAST）設(shè)計(jì)研發(fā)的一款設(shè)備，通過(guò)施加嚴(yán)酷的溫度、濕度和偏置條件來(lái)加速潮氣穿透外部保護(hù)材料（灌封或密封）或外部保護(hù)材料和金屬導(dǎo)體的交接面，來(lái)評(píng)價(jià)非氣密封裝半導(dǎo)體器件在潮濕的環(huán)境下的可靠性。

金屬接腳沾錫蒸汽老化試驗(yàn)箱適用于電子連接器、半導(dǎo)體IC、晶體管、二極管、液晶LCD、芯片電阻電容、零組件產(chǎn)業(yè)電子零組件金屬接腳沾錫性試驗(yàn)前的老化加速壽命時(shí)間試驗(yàn);半導(dǎo)體、被動(dòng)組件、零件接腳氧化試驗(yàn)。

芯片電阻電容蒸汽老化試驗(yàn)箱適用于電子連接器、半導(dǎo)體IC、晶體管、二極管、液晶LCD、芯片電阻電容、零組件產(chǎn)業(yè)電子零組件金屬接腳沾錫性試驗(yàn)前的老化加速壽命時(shí)間試驗(yàn);半導(dǎo)體、被動(dòng)組件、零件接腳氧化試驗(yàn)。

液晶LCD蒸汽老化試驗(yàn)箱適用于電子連接器、半導(dǎo)體IC、晶體管、二極管、液晶LCD、芯片電阻電容、零組件產(chǎn)業(yè)電子零組件金屬接腳沾錫性試驗(yàn)前的老化加速壽命時(shí)間試驗(yàn);半導(dǎo)體、被動(dòng)組件、零件接腳氧化試驗(yàn)。

晶體管蒸汽老化試驗(yàn)箱箱適用于電子連接器、半導(dǎo)體IC、晶體管、二極管、液晶LCD、芯片電阻電容、零組件產(chǎn)業(yè)電子零組件金屬接腳沾錫性試驗(yàn)前的老化加速壽命時(shí)間試驗(yàn);半導(dǎo)體、被動(dòng)組件、零件接腳氧化試驗(yàn)。

半導(dǎo)體IC蒸汽老化試驗(yàn)箱適用于電子連接器、半導(dǎo)體IC、晶體管、二極管、液晶LCD、芯片電阻電容、零組件產(chǎn)業(yè)電子零組件金屬接腳沾錫性試驗(yàn)前的老化加速壽命時(shí)間試驗(yàn);半導(dǎo)體、被動(dòng)組件、零件接腳氧化試驗(yàn)。